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您是否正在寻找一颗能同时满足高性能、高密度与低功耗需求的DRAM芯片？MT41K2G4RKB-107:P正是您的理想之选。这颗8Gb容量的DDR3L SDRAM，凭借其933MHz的高速时钟和高效的并联接口，能轻松应对数据密集型应用的严苛挑战，让您的系统运行如飞。

它采用先进的TwinDie技术和1.35V低电压供电，在提供强大数据吞吐能力的同时，显著降低系统功耗，帮助您打造能效比出众的终端产品。广泛的工业级温度适应性和可靠的78-TFBGA封装，确保了其在各种复杂环境下的长期稳定运行，是您构建网络设备、嵌入式系统及高性能计算平台的坚实基石。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:P
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K2G4RKB-107:P，Micron（美光）产品一站式供应商。