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更重要的是，它采用低电压设计（1.283V~1.45V），能效表现卓越，可帮助您的便携式或常开设备显著降低功耗与发热，轻松延长续航。其紧凑的78-TFBGA封装和宽温工作特性（0°C~95°C），让您能更灵活地设计产品，从容应对各种应用环境挑战，是提升产品竞争力的高效之选。

• 型号:MT41K256M8DA-125:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K256M8DA-125:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。