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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？MT41K256M4JP-15E:G TR这颗1Gb DDR3 SDRAM芯片，就是为您提升性能的关键。它以高达667MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速应用提供澎湃的数据吞吐动力，让您的设备处理任务更加迅猛流畅。

这颗芯片能轻松集成到您的设计中，其1.283V ~ 1.45V的宽电压范围和0°C ~ 95°C的宽温工作能力，赋予了产品出色的环境适应性和可靠性。无论是处理实时数据还是作为系统缓存，它都能确保高效稳定的运行，让您专注于核心功能开发，无后顾之忧。

• 型号:MT41K256M4JP-15E:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
• MT41K256M4JP-15E:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。