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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统数据吞吐能力的内存解决方案？MT41K256M16LY-107:N TR正是您的理想之选。这颗美光4Gb DDR3L SDRAM芯片，以高达933MHz的速度和仅20ns的快速访问，让您的设备能够轻松应对海量数据的实时读写，确保应用程序运行如飞，用户体验流畅无比。

它采用先进的低电压设计（1.35V），能显著降低系统整体功耗，帮助您打造更节能、发热更少的产品。其宽广的工作温度范围和可靠的96-TFBGA封装，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行。无论是加速您的网络设备、增强工业控制器的性能，还是为嵌入式系统提供坚实的内存基础，它都能让您的设计事半功倍，高效达成性能目标。

• 型号:MT41K256M16LY-107:N TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
• MT41K256M16LY-107:N TR，Micron（美光）产品一站式供应商。