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它采用先进的低电压设计（1.35V标准），显著降低功耗，让您的设备更节能、发热更少。无论是用于工业控制、网络设备还是需要可靠缓存的多媒体应用，它都能提供稳定、高效的并行数据存取支持。其宽温特性（0°C ~ 95°C）更能确保在多样化的环境中稳定工作，是您打造高性能、高可靠性产品的得力助手。

• 型号:MT41K256M16HA-125 V:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 V:E，Micron（美光）产品一站式供应商。