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还在为嵌入式系统的内存带宽和功耗发愁吗？让MT41K1G8RKB-107:N为您带来改变！这颗来自美光科技的8Gb DDR3L SDRAM芯片，是您提升系统响应速度与能效表现的秘密武器。

它以高达933MHz的时钟频率和并联接口，为您提供澎湃的数据吞吐能力，轻松应对实时数据处理、高速缓存等严苛任务。同时，其1.283V~1.45V的低电压特性，能显著降低系统整体功耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。采用78-TFBGA封装，易于集成，0°C~95°C的宽温工作范围确保了在各种环境下的稳定可靠。选择它，就是选择了一个高效、节能且经过验证的内存解决方案，让您的产品设计如虎添翼。

• 型号:MT41K1G8RKB-107:N
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K1G8RKB-107:N，Micron（美光）产品一站式供应商。