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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT41K1G4RH-125:E为您解决！这颗美光出品的4Gb DDR3并行DRAM，能以高达800MHz的速度高效处理海量数据流，13.75ns的极速访问时间让您的应用响应如飞。它就像您系统的超级记忆体，轻松应对多任务并发，瞬间提升整体运行效率。

它采用先进的78-TFBGA封装，节省宝贵的板级空间，1.283V至1.45V的低电压设计更让您实现高性能与低功耗的完美平衡。无论是嵌入式主板、网络设备还是需要稳定运行的高端工控系统，这颗芯片都能让您的设计游刃有余，性能表现始终稳定可靠。

• 型号:MT41K1G4RH-125:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:1G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K1G4RH-125:E，Micron（美光）产品一站式供应商。