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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？MT41K128M16JT-125 V:K TR将彻底改变您的体验。这颗由美光科技打造的2Gb DDR3L SDRAM芯片，以其800MHz的高时钟频率和仅13.75ns的快速访问时间，为您提供高速、流畅的数据读写能力，轻松应对实时性要求极高的计算任务。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在提升性能的同时显著降低系统功耗，让您的设备更高效、更节能。其表面贴装的96-TFBGA紧凑封装和0°C至95°C的宽温工作范围，确保了在各种严苛环境下的稳定性和可靠性，是工业控制、网络通信、嵌入式系统等领域的理想内存选择。

• 型号:MT41K128M16JT-125 V:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K128M16JT-125 V:K TR，Micron（美光）产品一站式供应商。