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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能与稳定兼备的“心脏”吗？MT41J512M8THU-187E:A就是您理想的答案。这颗美光出品的4Gb DDR3 SDRAM芯片，凭借533MHz的高时钟频率和仅13.125ns的快速访问时间，能显著提升您系统的数据吞吐效率，让复杂任务处理变得轻松流畅。

它采用可靠的82-FBGA封装和1.5V标准电压供电，不仅功耗控制出色，更能适应0°C到95°C的严苛工作环境。无论是用于升级现有产品线，还是为经典设计提供长期稳定的物料支持，它都能让您的项目高效推进，稳如磐石。

• 型号:MT41J512M8THU-187E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 533MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.125 ns
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:82-FBGA
• 供应商器件封装:-
• MT41J512M8THU-187E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。