我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT40A1G8WE-075E:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能让您的设备“快人一步”的核心内存方案吗？MT40A1G8WE-075E:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借其高达1.33GHz的时钟频率和并行接口，能为您的高速计算、实时数据处理需求提供澎湃的数据带宽，让您的系统运行如飞，轻松应对密集型工作负载。

它采用先进的1.2V左右低电压供电和78-TFBGA小型化封装，不仅有效降低了功耗与发热，更为您的PCB布局节省了宝贵空间。无论是构建高性能服务器、网络设备还是工业控制系统，这颗芯片都能让您高效实现稳定可靠的数据缓存与交换，显著提升整体性能表现。

• 型号:MT40A1G8WE-075E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-075E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。