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您是否希望一颗芯片就能同时担当起数据仓库与高速缓存的双重角色？MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR正是这样一位“多面手”。它集成了1Gb NAND闪存用于稳定存储您的程序与数据，同时内置512Mb LPDDR2 DRAM提供高速运行空间，让您的系统在处理复杂任务时响应更迅捷。

这颗芯片采用先进的121-VFBGA封装和1.8V低电压设计，让您轻松实现紧凑型布局与能效优化。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，确保设备在严苛环境下依然稳定可靠。无论是工业控制、汽车电子还是需要高性能存储解决方案的嵌入式应用，它都能让您的设计更高效、更精简。

• 型号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:121-VFBGA（8x7.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:121-WFBGA
• 供应商器件封装:121-VFBGA（8x7.5）
• MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。