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您正在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储核心吗？MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR就是您的高效答案。这颗美光8Gb NAND闪存芯片，采用高速并联接口，能为您提供迅捷的数据读写体验，轻松应对工业控制、汽车电子等场景下对速度与可靠性的严苛要求。

它能在-40°C至85°C的宽广温度范围内稳定工作，并支持1.7V~1.95V的低电压运行，有效帮助您降低系统整体功耗。其63-VFBGA的紧凑封装，更让您能在有限的空间内实现高达8Gb（512M x 16）的大容量存储部署，是提升产品性能与可靠性的得力之选。

• 型号:MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。