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您是否在寻找一颗能同时满足大容量、高可靠性与易集成需求的存储芯片？MT29F8G16ABACAH4:C TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的8Gb并行NAND闪存，采用高效的512M x 16位架构，为您提供海量的非易失存储空间，让您的设备能够轻松应对程序、数据和多媒体内容的存储挑战。

其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种应用环境下的稳定运行。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您能够高效地优化电路板布局，实现更小巧、更集成的产品设计。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲、可靠的存储心脏。

• 型号:MT29F8G16ABACAH4:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ABACAH4:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。