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还在为嵌入式系统的存储瓶颈而烦恼吗？让MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R为您打开新局面！这颗美光64Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达8GB的海量非易失存储空间，轻松容纳复杂的操作系统、应用程序和用户数据，让您的设备告别存储焦虑。

它采用稳定的并联接口和宽电压设计（2.7V-3.6V），确保在各种供电环境下都能高效、可靠地工作。其坚固的特性支持0°C至70°C的工业级温度范围，让您的产品在多样化的环境中始终保持最佳状态，数据存储安全无忧。无论是用于设备固件、关键日志记录还是大数据缓存，它都是提升您产品可靠性和性能表现的得力助手。

• 型号:MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R，Micron（美光）产品一站式供应商。