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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F64G08CBCABH1-10Z:A正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的64Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能以100MHz的时钟频率高速运作，让您的设备实现快速的数据读写与访问，彻底告别存储瓶颈。

它为您提供高达8GB的稳定非易失存储空间，确保关键数据在断电后依然安全无虞。其宽电压（2.7V-3.6V）设计和0°C至70°C的工业级工作温度范围，让您能轻松将其集成到各种复杂的应用环境中，无论是网络设备、工业控制还是高端消费电子，都能表现出色。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的可靠性与高效能。

• 型号:MT29F64G08CBCABH1-10Z:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCABH1-10Z:A，Micron（美光）产品一站式供应商。