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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR 规格参数

还在为设备存储的瓶颈而烦恼吗?MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的512Gb TLC NAND闪存芯片,采用先进的64Gx8 VBGA DDP封装,能为您提供海量、高速且稳定的数据存储核心。它让您的设备轻松拥有高达64GB的本地存储空间,无论是运行大型程序还是存储多媒体文件都游刃有余。

这颗芯片专为追求高性能与高集成度的设计而生。其紧凑的封装和卓越的能效表现,让您能够打造出更轻薄、续航更持久的终端产品。选择它,就是为您的智能手机、笔记本电脑、嵌入式系统或服务器注入一颗强劲可靠的“数据心脏”,确保用户体验流畅高效,助力您的产品在激烈市场中脱颖而出。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:*
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR 基本参数:

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