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还在寻找能兼顾大容量、高可靠性与出色能效的存储方案吗？MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR正是您的理想之选。这颗512Gb并行NAND闪存芯片，采用TLC技术，为您提供高达64GB的海量存储空间，让您轻松容纳复杂的应用程序、多媒体内容和用户数据，彻底摆脱存储空间焦虑。

它能在2.7V至3.6V的宽电压下高效运行，并支持0°C至70°C的工业级温度范围，确保在各种环境下稳定工作。无论是加速系统启动，还是提升数据读写效率，它都能让您的设备性能显著提升，用户体验更加流畅。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲可靠的存储核心。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。