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还在寻找能扛起海量数据存储重任的核心部件吗？MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您的高速设备提供稳定、非易失的大容量存储解决方案，让您的系统轻松应对繁重的数据读写任务。

凭借83MHz的时钟频率和宽电压（2.7V~3.6V）支持，它能让您的设计在性能和能效之间取得完美平衡。无论是用于工业控制、网络通信还是高端消费电子，其100-LBGA封装都便于您实现紧凑高效的表面贴装设计，显著提升产品整体可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-LBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-LBGA
• 供应商器件封装:100-LBGA（12x18）
• MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。