我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为您的新项目寻找那颗既能海纳百川又能迅如闪电的核心存储器吗？MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR就是为您量身打造的解决方案。这颗由美光科技出品的512Gb NAND闪存芯片，能轻松为您存储巨量程序代码、用户数据或高清媒体内容，让您的设备拥有“过目不忘”的本领。

它采用高效的并联接口，配合100MHz的时钟频率，确保数据存取如行云流水，极大提升系统响应速度。宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（0°C-70°C）支持，让它能在各种复杂环境中稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。紧凑的48-TFSOP封装更让您能高效利用电路板空间，简化设计。

• 制造商产品型号：MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。