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还在为设备的数据存储速度和容量瓶颈而烦恼吗？MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR就是您的高效解决方案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，能为您提供海量的数据仓库，让您的设备轻松容纳大量高清内容、复杂程序或系统日志，其并联接口与高达267MHz的时钟频率协同工作，确保数据存取迅猛流畅，极大提升系统响应速度。

它采用2.7V-3.6V宽电压设计，并支持0°C至70°C的工作温度，让您的产品在多种供电环境和室内条件下都能稳定运行。无论是升级现有经典设计，还是需要长期可靠的存储方案，这颗经过市场验证的芯片都能让您的产品保持高效与稳定，是追求成熟、可靠性能的明智之选。

• 型号:MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。