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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Tb并行NAND闪存芯片，就像一个高速、海量的数据仓库，能以高达333MHz的时钟频率进行数据交换，让您轻松应对4K/8K视频流、大型数据库访问以及实时AI计算等对带宽要求极高的任务，彻底告别数据等待。

它采用稳定的2.5V~3.6V供电，在广泛的温度范围内都能可靠工作，确保您的产品在各种环境下表现如一。无论是嵌入到高端服务器、网络存储设备，还是专业的工业控制系统中，它都能提供持久、高效的非易失存储解决方案，让您的设计更具竞争力，用户体验更加流畅。

• 制造商产品型号：MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。