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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR 零件图片(仅供参考)

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR 规格参数

您正在设计需要强大、可靠数据存储支持的产品吗?MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR正是您理想的解决方案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存,能为您的高速应用提供稳定、大容量的非易失性存储空间,让您的系统轻松承载复杂的程序代码、海量的日志数据或丰富的多媒体内容。

它专为严苛环境而生,符合汽车级AEC-Q100标准,拥有-40°C至105°C的宽工作温度范围和2.7V~3.6V的宽电压支持,确保在车载、工业及户外设备中都能表现出极高的可靠性。紧凑的63-VFBGA封装让您的板级设计更高效,节省宝贵空间。选择它,就是为您的产品选择了一颗经久耐用、性能卓越的数据心脏。

  • 制造商产品型号:MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:4Gb(256M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:63-VFBGA
  • MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR 基本参数:

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