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您正在设计的产品需要一颗稳定、高效的“数据心脏”吗？MT29F4G08BBBWP TR正是这样一款解决方案。这颗由美光科技出品的4Gb NAND闪存芯片，采用并行接口，能以512M x 8的宽位结构进行高速数据吞吐，让您的系统轻松处理大量信息，运行更加流畅高效。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著优化整体功耗，延长设备续航。其0°C至70°C的工业级工作温度范围和表面贴装封装，确保了在各种环境下的可靠性与易用性。无论是用于数据日志记录、固件存储还是多媒体缓存，它都能成为您产品中值得信赖的存储基石，助您快速实现稳定可靠的设计。

• 型号:MT29F4G08BBBWP TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08BBBWP TR，Micron（美光）产品一站式供应商。