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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存，旨在为您的嵌入式系统提供坚实的数据基石。

它拥有512M x 8的存储架构，能轻松容纳您的应用程序、操作系统和用户数据。其并联接口设计确保了高效的数据吞吐，让系统响应更加迅捷。宽达-40°C至85°C的工作温度范围，让您能自信地将其部署于工业控制、汽车电子或户外设备等严苛环境，无需担心极端温度的挑战。

选择它，意味着您选择了低功耗（1.7V~1.95V供电）、小尺寸（63-VFBGA封装）与美光原厂品质的完美结合。它将让您的产品设计更高效，运行更稳定，助您在市场中赢得先机。

• 型号:MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。