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它采用高效的并联接口，确保数据存取流畅迅速。2.7V~3.6V的宽电压支持，让您的电源设计更具灵活性，同时优化能效。无论是智能家居、工业控制还是网络通信设备，它都能以稳定的性能和0°C~70°C的宽温工作能力，成为您产品中可靠的数据仓库，高效助力项目成功。

• 型号:MT29F4G08ABAEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。