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还在为嵌入式系统寻找一颗既能装又能跑的“心脏”吗？MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的384Gb NAND闪存芯片，能为您提供海量的非易失存储空间，轻松容纳复杂的操作系统、应用程序和用户数据，确保设备断电后信息依然毫发无损。

它凭借并联接口和高达267MHz的时钟频率，为您带来高效的数据读写体验，显著加速系统响应，让数据处理不再等待。其2.7V-3.6V的宽电压支持和0°C至70°C的工作温度范围，更让您能轻松应对各种严苛的供电与环境挑战，是构建可靠、高性能工业与网络设备的理想之选。

• 型号:MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:384Gb
• 存储器组织:48G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。