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还在为嵌入式系统寻找一颗大容量、高可靠的“数据仓库”吗？MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C TR正是您需要的答案。这颗由美光科技打造的32Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达4GB的稳定存储空间，让您的设备轻松承载复杂的应用程序、海量用户数据与系统日志，彻底告别存储焦虑。

它采用高效的并联接口，配合83MHz的工作频率，确保数据存取流畅迅速，大幅提升系统响应效率。宽电压设计（2.7V-3.6V）增强了环境适应性，而表面贴装的100-VBGA封装则助力您实现更紧凑、更可靠的PCB布局。选择它，就是为您的产品选择了一份经典而持久的存储保障。

• 型号:MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。