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还在为成熟产品线的存储部件寻找稳定可靠的供应吗？MT29F32G08AECBBH1-12:B正是为您这样的需求而生。这颗由美光科技打造的32Gb并行NAND闪存，能轻松为您的工业控制、网络设备或特定消费电子产品提供持久、大容量的非易失性存储解决方案。

它拥有4G x 8的存储组织结构和83MHz的时钟频率，让您的系统能够高效地进行海量数据读写。宽电压范围（2.7V~3.6V）和0°C~70°C的工作温度，确保了它在各种环境下都能稳定运行，极大提升了您产品的环境适应性和可靠性。标准的100-VBGA表面贴装封装，让您的生产集成过程更加顺畅便捷。

• 型号:MT29F32G08AECBBH1-12:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08AECBBH1-12:B，Micron（美光）产品一站式供应商。