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您是否正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储核心？MT29F2G08ABBEAH4-IT:E正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能为您的高速设备提供稳定、大容量的非易失性存储解决方案，让海量数据存取变得轻松而高效。

它采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，能有效节省您的电路板空间。其宽广的工业级温度适应能力（-40°C ~ 85°C）与1.7V~1.95V的低电压特性，让您的产品无惧环境挑战，同时实现优异的能效表现。无论是用于工业控制、汽车电子还是网络通信，它都能确保您的关键数据固若金汤，大幅提升终端产品的可靠性与竞争力。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。