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当您的设计需要一颗既能扛住极端温度考验，又能提供稳定、高效数据存储核心的闪存时，MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR就是您理想的伙伴。它拥有2Gb（256M x 8）的大容量，采用成熟的NAND技术与非易失特性，确保断电后数据依然安全无虞，让您的设备每一次启动都快速可靠。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建高性能的存储系统。其并联接口确保了高速的数据读写，而2.7V~3.6V的宽电压范围则大大增强了系统供电的兼容性和稳定性。无论是工业自动化控制器需要记录生产日志，还是车载设备存储导航与传感器数据，它都能高效完成任务。

此外，其坚固的63-VFBGA封装和表面贴装设计，非常适合对空间和可靠性有严苛要求的应用。选择它，就是为您的产品选择了一份从-40°C到105°C全温度范围内都值得信赖的存储保障，让您的创新设计无惧环境挑战，持续稳定运行。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。