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还在为设备存储空间不足或速度迟缓而烦恼吗？MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A将彻底改变您的体验。这颗由美光科技打造的256Gb并行NAND闪存，就像一个高速、海量的数据仓库，能以高达333MHz的时钟频率为您疾速存取信息，让您的工业主机、网络设备或存储系统运行如飞。

它采用非易失性存储技术，确保断电后数据依然安全。宽电压（2.5V-3.6V）设计和0°C至70°C的工作温度范围，赋予了它出色的环境适应性和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、稳定的“记忆核心”，轻松应对各种复杂应用场景下的数据存储挑战，大幅提升整体系统效能。

• 制造商产品型号：MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：盒
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A，Micron（美光）产品一站式供应商。