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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR 规格参数

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗?MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR正是您期待的答案。这颗256Gb大容量NAND闪存芯片,能以高达333MHz的速度与您的主控高效对话,让海量数据的写入和读取瞬间完成,彻底告别等待,为您的智能终端注入飞一般的体验。

它采用先进的并联接口和宽电压设计,让您能轻松将其集成到从高端服务器到便携式设备的各类应用中。无论是确保安防监控视频的连续稳定录制,还是加速自动驾驶系统的环境感知数据处理,它都能提供坚实可靠的存储基石。选择它,就是为您的产品选择了一个高效、稳定且经久耐用的数据仓库。

  • 制造商产品型号:MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb(32G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR 基本参数:

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