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MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
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MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR 规格参数

还在寻找一颗能撑起您产品数据世界的核心存储器吗?MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR就是您期待的答案。这颗美光出品的256Gb NAND闪存,采用高效的并联接口,能以83MHz的时钟频率高速运转,让您的设备轻松应对海量数据的写入与读取,瞬间提升系统响应速度。

它能在广泛的电压范围(2.7V~3.6V)和商业级温度(0°C~70°C)下稳定工作,为您在各种嵌入式应用、数据存储模块中提供可靠的非易失存储方案。选择它,就是为您的设计选择了一个经过验证的、大容量且高性能的存储基石,让产品开发更高效,让用户体验更流畅。

  • 制造商产品型号:MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb(32G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:-
  • MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR 基本参数:

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