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MT29F256G08CECBBH6-6R:B 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08CECBBH6-6R:B
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MT29F256G08CECBBH6-6R:B 规格参数

还在寻找能扛起海量数据存储重任的核心部件吗?MT29F256G08CECBBH6-6R:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片,凭借其并联接口和167MHz的高时钟频率,能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐能力,让大数据读写变得轻松而高效。

它能在2.7V至3.6V的电压范围内稳定工作,适应广泛的供电环境,并且具备0°C至70°C的工业级温度耐受性。这意味着无论是用于需要持续记录数据的工业设备,还是对响应速度有苛刻要求的网络通信产品,它都能成为您系统中可靠且高性能的数据仓库,确保关键信息随时待命,瞬间可达。

  • 型号:MT29F256G08CECBBH6-6R:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-VBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(MLC)
  • 存储容量:256Gb
  • 存储器组织:32G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-VBGA
  • 供应商器件封装:152-VBGA(14x18)
  • MT29F256G08CECBBH6-6R:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F256G08CECBBH6-6R:B 基本参数:

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