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MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
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MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗?MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR闪存芯片就是您的高效解决方案。它拥有高达256Gb(32GB)的海量存储空间,采用高速并联接口与100MHz时钟频率,能让您的系统实现快速的数据读写与访问,轻松应对高清视频流、大型数据库或实时日志记录等密集型任务。

这颗芯片专为追求稳定与可靠的设计而生。其2.7V~3.6V的宽电压供电范围和0°C~70°C的工业级工作温度,确保了它在各种复杂环境下都能持续稳定工作。采用紧凑的48-TFSOP表面贴装封装,让您能在有限的空间内集成大容量存储,极大地提升了产品设计的灵活性与可靠性。选择它,就是选择让您的产品运行更流畅、数据更安全。

  • 制造商产品型号:MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb(32G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:100MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR 基本参数:

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