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还在寻找一颗能扛起大容量、高速数据存储重任的经典芯片吗？MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR正是为您这样的需求而生。这颗由美光科技打造的256Gb并行NAND闪存，就像一个高速、海量的数字仓库，能以100MHz的时钟频率高效吞吐数据，轻松容纳庞大的系统固件、应用程序代码或持续产生的日志与用户数据。

它采用稳定的并联接口和2.7V~3.6V宽电压供电，让您的设备设计更灵活，运行更可靠。无论是用于升级现有产品以延长其市场寿命，还是为经典设计寻找可靠的存储核心，这颗芯片都能让您以成熟的方案，高效地实现目标，确保您项目的连续性与成功。

• 型号:MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-LBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:132-LBGA（12x18）
• MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。