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MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A 零件图片(仅供参考)

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
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MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗?MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A就是您期待的突破性解决方案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存,能为您提供一个高速、海量的数据承载平台。其333MHz的时钟频率和并行接口,让数据读写如闪电般迅捷,无论是系统启动还是大文件传输,都能让您体验到前所未有的流畅与高效。

它不仅仅是一颗存储芯片,更是您产品可靠性的基石。宽电压设计(2.5V~3.6V)适应复杂的供电环境,工业级工作温度范围(0°C~70°C)确保在多种严苛场景下稳定运行。采用紧凑的132-VBGA封装,为您节省宝贵的电路板空间,让设计更优化。选择它,就是为您的企业级存储、高端监控、工业自动化或网络通信设备,注入一颗强大而可靠的数据心脏。

  • 制造商产品型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Tb(128G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A 基本参数:

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