我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储速度和容量上限而烦恼吗？让MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A为您带来颠覆性的体验。这颗由美光科技打造的1Tb大容量NAND闪存芯片，凭借其高速并联接口与333MHz的时钟频率，能轻松应对海量数据的瞬间吞吐需求，让您的设备运行如飞，数据处理效率倍增。

它采用可靠的表面贴装型132-VBGA封装，工作电压范围宽泛（2.5V~3.6V），并支持0°C~70°C的工业标准温度，确保您在各类应用环境中都能获得稳定持久的性能表现。无论是用于需要快速启动和大量数据缓存的高端设备，还是用于数据记录至关重要的工业系统，它都能成为您最值得信赖的存储核心，助您轻松构建更强大、更可靠的产品。

• 型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A，Micron（美光）产品一站式供应商。