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还在为设备存储空间不足或速度跟不上而烦恼吗？MT29F1T08EEHBFJ4-T:B正是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，能为您的大容量数据需求提供强大支撑，无论是存储高清媒体文件还是运行复杂应用程序，都能让您的设备响应如飞。

它采用高效的TLC技术和并联接口，让数据存取变得异常迅捷。同时，其宽广的工作电压与温度范围，确保了在各种环境下的稳定性和耐用性。选择它，意味着您为产品选择了一个高效、可靠且节省空间的核心存储单元，轻松应对未来的数据挑战。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHBFJ4-T:B，Micron（美光）产品一站式供应商。