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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C 零件图片(仅供参考)

MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C
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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而焦虑吗?让MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C为您彻底解决这个难题。这颗美光出品的1Tb并行NAND闪存芯片,就像一个高速、海量的数据仓库,能让您的设备轻松容纳128G x 8的庞大数据集,并以高达167MHz的时钟频率进行高效读写,显著提升整体系统响应速度。

它不仅仅容量惊人,更具备工业级的坚韧品质。宽电压供电(2.7V~3.6V)和宽广的工作温度范围(-40°C ~ 85°C),让您的产品能够从容应对各种严苛环境,无论是酷暑还是严寒,都能保证数据存储的稳定与安全。选择它,就是为您的产品选择了一份可靠的数据基石,让您在激烈的市场竞争中底气十足。

  • 型号:MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:152-LBGA(14x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Tb
  • 存储器组织:128G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:152-LBGA
  • 供应商器件封装:152-LBGA(14x18)
  • MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C 基本参数:

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