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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F1T08CMCBBJ4-37:B将彻底改变您的体验。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，拥有128G x 8的庞大架构，能以高达267MHz的时钟频率疾速处理数据，让您的系统运行如飞，轻松应对高清视频流、大型数据库或复杂应用程序的存储需求。

它采用高效的并联接口和2.7V~3.6V宽电压供电，在确保高性能的同时兼顾了能效。表面贴装式的132-VBGA封装设计，让您能更灵活地进行PCB布局，实现产品的小型化和高集成度。无论是消费电子还是工业控制领域，它都能在0°C至70°C的温度范围内稳定工作，为您提供持久可靠的非易失性存储解决方案，是构建高性能、高可靠性设备的理想核心部件。

• 型号:MT29F1T08CMCBBJ4-37:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1T08CMCBBJ4-37:B，Micron（美光）产品一站式供应商。