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还在寻找能同时满足海量存储与闪电般速度的解决方案吗？MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B正是您的理想答案。这颗美光科技的1.5Tb并行NAND闪存芯片，就像一个超级高效的数据中心，能轻松容纳高达192GB x 8的庞大数据，并以333MHz的时钟频率飞速处理信息，彻底告别等待，让您的应用运行如飞。

它采用可靠的表面贴装132-VBGA封装，在2.5V至3.6V的电压范围内稳定工作，适应0°C至70°C的环境温度。这意味着它能无缝集成到您的各类高端设备中，无论是需要处理复杂数据的服务器、高性能计算平台，还是对存储有苛刻要求的专业设备，它都能提供坚实、高效的存储支持，让您的产品设计更从容，性能更出众。

• 型号:MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.5Tb
• 存储器组织:192G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B，Micron（美光）产品一站式供应商。