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它让您的设计轻松应对严苛环境。其1.7V~1.95V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在车载、工业、通信等各种应用中的出色可靠性。采用130-VFBGA小型化封装，帮助您高效节省宝贵的PCB空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经过时间验证的稳定与高效。

• 型号:MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:130-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:130-VFBGA
• 供应商器件封装:130-VFBGA（8x9）
• MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。