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还在为嵌入式系统寻找稳定的大容量存储方案吗？MT29F1G16ABBEAH4:E TR就是您的理想答案。这颗1Gb并行NAND闪存芯片，能轻松容纳您的系统程序、配置文件和用户数据，其高效的并联接口确保数据存取流畅无阻，让您的设备响应更加迅速敏捷。

它采用紧凑的63-VFBGA封装，为您节省宝贵的电路板空间，1.7V~1.95V的低电压供电特性，更能帮助您优化整体系统功耗。无论是工业控制、网络设备还是其他需要可靠非易失存储的场合，它都能在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作，成为您产品中默默奉献的“数据基石”。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的可靠性。

• 型号:MT29F1G16ABBEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G16ABBEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。