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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F1G16ABBDAHC:D TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，专为需要稳定、非易失性存储的应用而生。它能让您的工业控制器、网络设备或消费电子产品，轻松、高效地处理海量数据，确保关键信息永不丢失。

凭借其1.7V~1.95V的低电压运行和0°C~70°C的宽工作温度范围，它能在各种苛刻环境下稳定工作，显著提升您产品的整体可靠性和能效。紧凑的63-VFBGA封装更让您在设计时游刃有余，最大化利用电路板空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的数据存储保障。

• 型号:MT29F1G16ABBDAHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABBDAHC:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。