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您正在寻找一颗能扛得住恶劣环境、守得住关键数据的存储芯片吗？MT29F1G16ABBDAH4-IT:D正是为您而来。这颗美光科技的1Gb并行NAND闪存，拥有坚固的工业级内核，能在-40°C到85°C的极端温度范围内稳定运行，确保您的设备无论是在冰天雪地还是炎炎夏日，数据存取都一如既往地可靠。

它为您提供的是一个高效、非易失的数据仓库。1.7V~1.95V的低电压工作特性，让您的系统设计更节能；其并联接口和紧凑的63-VFBGA封装，则让您能轻松实现高速数据交换并节省电路板空间。选择它，就是为您的工业控制、通信模块或车载设备选择了一位值得信赖的“数据记忆官”，让您的产品在复杂应用中表现更加稳健出色。

• 型号:MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G16ABBDAH4-IT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。