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它采用高效的并联接口与先进的NAND技术，确保数据读写流畅稳定。1.7V~1.95V的低电压设计，显著降低系统功耗，而0°C至70°C的工业级工作温度范围，则让您的产品在各种环境下都能保持高效运行。无论是工业控制、网络通信还是消费电子，它都能成为您产品中值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。