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还在寻找一颗能扛重任、让系统数据存储既安全又高效的核心芯片吗？MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，能为您提供高达128M x 8位的可靠存储空间，轻松容纳海量程序代码、用户数据或系统日志。

它采用2.7V~3.6V宽电压供电，兼容性强，部署灵活。其坚固的非易失特性确保断电后数据依然完好无损，而-40°C至85°C的宽温工作范围，让您的设备无论身处何种严苛环境，都能稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的数据安全保险，让您专注于核心功能开发，将存储的可靠性完全托付给这颗业界标杆级的闪存芯片。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E，Micron（美光）产品一站式供应商。