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您正在寻找一颗能扛起系统数据存储重担的核心芯片吗？MT29F1G08ABADAH4:D TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，拥有128M x 8的存储结构，能以高速并联接口为您快速处理数据，让您的设备运行更流畅，响应更迅捷。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，并支持0°C至70°C的工作温度，轻松应对各种复杂的供电与环境挑战，确保数据存储的稳定与安全。其紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更能帮助您高效利用板卡空间，实现更精巧的产品设计。选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用的可靠性承诺。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。