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还在为设备的数据存储速度和可靠性担忧吗？让MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR为您彻底解决这一痛点。这颗16Gb并行NAND闪存芯片，能以高达83MHz的时钟频率进行高速数据交换，让您的系统告别等待，实现瞬间响应。

它采用可靠的并联接口和2G x 8的存储架构，让您能轻松高效地管理海量数据。其宽广的工作电压（2.7V~3.6V）与工业级温度范围（-40°C~85°C），确保了在各种严苛环境下都能稳定运行，极大提升了您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。